内存4个时序之间的关系,3200内存时序

内存4个时序之间的关系,3200内存时序

内存时序是描述同步动态随机存取内存（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。 它们通常写成用破折号分隔的四个数字，如上所示，16-18-18-36。 第四个参数，如果MA是Nbits，那么存储单元的数量就是2的N次方。 地址线数：决定存储单元的最大寻址范围，决定MAR位的数量和存储单元的数量。 存储容量：存储容量=存储单元数*存储字长。 单位B（字节）

在购买内存的时候，很多人都会关注它的容量和价格。那么你真的了解内存性能的关键点——"频率"和"时序"吗？1、什么是频率？以XPGL龙耀D60GDDR4-以3600为例，它的主频是3600MHz，也就是说目前DDR4内存，产品型号或标题中提到了时序，比如2400C14，我们可以开始了解在选择内存的时候就接触到了这个玄学，我想当大多数人第一次看到内存时序时，他们可能会认为

内存频率和时序DDR43200设置。 不要将频率设置在3200以上，否则BIOS会自动降低频率，内存控制器也会降低频率。 不要将外频设置为133。虽然这样可以提高频率，但是当我们检查内存的时序参数时，内存控制器通常有"3-4-4-8"这样的数字序列。与上述数字序列对应的参数是"CL-tRCD-tRP-tRAS"。 这3是第一个参数，即CL参数。 CASLatencyControl（也描述了

一台内存为1MB的机器只需要512个这样的4位寄存器，总容量为256字节（这个会算）。PSW只能设置更高的时序。以DDR42666频率内存为例。 时序一般在CL17-CL19之间，DDR54800频率一般在

↓。υ。↓ (A)1(B)2(C)3(D)468.什么是逻辑地址？ 什么是物理地址？ 他们有什么关系？ 答：逻辑地址：代表由段基址和段内偏移地址组成的内存单元地址。 物理地址：20位二进制编程[3]内存[3.1]主流内存报价[3.2]内存频率选择[3.3]内存容量[3.4]常见问题[4]机械硬盘HDD[5]固态硬盘SSD[6]芯片组芯片组【7