半导体中多数载流子是由什么产生的,少数载流子器件

晶体二极管的主要参数有 2023-11-13 19:45 995 墨鱼

晶体二极管的主要参数有

半导体中多数载流子是由什么产生的,少数载流子器件

Forn型半导体中，大部分载流子电子主要由掺杂提供，极少量由热激发产生；而热激发产生的载流子是成对出现的电子和空穴。例如，Si掺杂的掺杂浓度为103。通常所说的非平衡载流子是指非平衡多数载流子。错）4.MIS结构电容相当于绝缘层电容和半导体空间电荷区电容的并联。错误）5.肖特基势垒二极管的正向电流主要是由半导体中的多数载流子进入金属引起的

在N型半导体中，多数载流子是电子（由掺杂产生），空穴是少数载流子（由本征激励产生）。半导体载流子是半导体中的电流载流子。在物理学中，载流子是指带电的、可以自由移动的dn型半导体。大多数载流子是自由电子。N型半导体是通过在纯硅晶体中掺杂五价元素（如磷）制成的。取代格子

1.P型半导体的主要载流子是空穴，而N型半导体的主要载流子是电子。 2、为了使三极管发挥放大作用，需要外加电压来保证发射极结正向偏置，集电极结反向偏置。 3.在A类功放电路中，由于多数载流子的扩散运动，在PN结处产生一个空间电荷区域（这个空间电荷区域也称为耗尽层）。扩散导致Pa区域中留下负离子，而N区域中留下的正离子带正电，从而使

百度测试题在杂质半导体中，多数载流子是由()产生的，少数载流子是由()产生的。相关知识点：测试题来源：掺杂杂质分析；掺杂；热运动反馈收集本征半导体中的载流子（电子和空穴），即非掺杂产生的载流子。换句话说，本征载流子是由热激发-本征激发产生的，即它们是由价电子从价带跃迁到导带而产生的；它们是成对产生的，所以电子

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标签：少数载流子器件