由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一...
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IGBT上的数字是什么意思 |
IGBT的四个主要参数,igbt模块工作原理及接线图
⊙ω⊙ (3)集电极通态电流Ic-在室温下,当IGBT导通时,允许通过集电极的最大电流的有效值称为IGBT的额定电流,用ICE表示;允许通过的峰值电流用ICM表示。 电流脉冲IGBT的主要参数(1)集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能承受的最大电压。一般情况下,UCES小于或等于器件的雪崩击穿电压。 2)门毛
↓。υ。↓ IGBT模块的动态参数是评价IGBT模块开关性能的重要依据,如开关频率、开关损耗、死区时间、驱动功率等。本文重点介绍以下动态参数:模块内栅极电阻、外栅极电阻、VCE(sat)也会出现在一些品牌的IGBT技术手册的标题中。它是表征IGBT导通功耗的主要参数,也是表征IGBT模块导通功耗的主要参数。对开关功耗有影响。 satinVCE(sat)表示饱和度,全称C-EsaturationVoltageCollect
IGBT参数说明1.导通延迟。 V在t1时刻上升到10%,I在t2时刻上升到10%,并且开启延迟td(on)=t2-t1。 2.关闭延迟。 Vge下降至90%att1,Ic下降至90%att2,关断延迟(4)集电极功耗PCM——室温下IGBT集电极允许的功耗。 单位为W;(5)栅极漏电流IGEO-室温下,当UCE=0V且栅极-发射极电压为其额定值UGER时,IGBT栅极
IGBT的主要参数1.集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能承受的最大电压。一般情况下,UCES小于或等于器件的雪崩击穿电压。 2.栅极发射极电压UGE是IGBT的常见结构,有IGBT单管和IGBT模块。 三极管、MOS管、IGBT的比较2.士兰微电子某款IGBT规格主要参数士兰微电子某款IGBT规格①集电极-发射极电压(VCE):集电极和发射极截止状态
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