SiCMOSFET能替代IGBT,mosfet工艺流程

SiCMOSFET能替代IGBT,mosfet工艺流程

碳化硅或SiCMOSFET与传统硅MOSFET和IGBT相比具有显着的优势。 下面我们来看看在设计高性能栅极驱动电路时使用SiCMOSFET的好处。 发表于08-2713:47适合UPS和逆向行业分析，特斯拉采用低功耗硅基IGBT+SiCMOSFET的方式来替代之前低端型号的SiC。 目前，TeslaModelS/X和Model3/Y平台使用相同的逆变器，根据SystemPluscon

SiCMOSFET能替代IGBT

目前，新能源汽车中的主要驱动逆变器仍然基于IGBT+SiFRD方案。考虑到未来电动汽车需要更长的行驶里程、更短的充电时间和更高的电池容量，SiCMOSFET元件将是大趋势。 工业用sicmosfet可以替代IGBT，但成本高出几倍，效果还不到20%，在很多成本敏感的行业无法普及，所以市场很大，没有一家公司能单独用sicmosfet来做。 。 仍然需要等待MOSFET

sicmosfet和igbt

碳化硅SicMOSFET在技术上取代IGBT是趋势。目前，考虑到成本和良率（良率也是影响成本的重要因素），从商业应用层面还没有办法替代IGBT。 从历史上以新换旧的角度来看，SiCMOSFET因其替代现有硅超结（SJ）晶体管和集成栅极双极晶体管（IGBT）技术的潜力而受到特别关注。 碳化硅在半导体器件中的潜力多年来已为人所知。 劳埃德华莱士1962

sic mosfet igbt

而且，MOSFET原则上不会产生尾电流，因此用SiC-MOSFET替代IGBT时，可以显着降低开关损耗，并且可以实现散热元件的小型化。 此外，SiC-MOSFET能够在IGBT无法工作的高频下驱动，从而使Wolfspeed的1.2-kVSiCMOSFET系列不仅能够满足这些要求，还能管理双向充电/放电过程，从而取代IGBT晶体管。 图1：OBC和快速充电系统基于SiC的两级AFE块处理EV电力的比较