sst40VF值,sst40dd

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设备表的配置由/sfud/inc/sfud_cfg.h中的SFUD_FLASH_DEVICE_TABLE宏定义。详细配置方法请参考2.3Flash配置方法。 该方法通过设备表中Flash设备的索引值返回3。当SST40W达到3.55V时，可以以7A的电流发光。 光通量几乎是3.55V@3AXML2的两倍。 2200vs.1250）总结以上三点，低Vf单核，省电，续航长（相同电流），可以用大电流来掌心。

系列：SST39VFS存储容量：4Mbit电源电压-最小值：2.7V电源电压-最大值：3.6V有效读取电流（最大值）：30mA接口类型：并行组织：256kx16数据总线宽度：16位时序类型：AsySST25VF040B4Mb串行外设接口（SPI）、FlashMemoryData产品特性：•单电压读写操作–2.7-3.6V•串行接口架构——SPI兼容：模式0和模式3•高速时钟频率 –高达50/80MHz•

类似部件号-SST25VF040B-50-4I-QAF制造商部件名称数据表功能描述SiliconStorageTechnolSST25VF040B-50-4I-QAF511Kb/30P4MbitSPISerialFlashSST25VF040B-50-4I温度范围–商业：0°C至+70°C–工业：-40°C至+85°C–扩展：-20°C至+ 85°C？提供封装–8引脚SOIC150milbodywid

4.27.2SST25VF016B特性•单电压读写操作2.7-3.6V•串行接口架构兼容SPI模式0和模式3•高速时钟频率高达50MHz•卓越的可靠性–可擦除性：100,000个周期（典型值）–SST25VF040B-50-4I-SAF时钟频率可达104MHzSST25VF040B-50-4I-SAF灵活擦除功能4KB统一扇区擦除，32/64KB块擦除SST25VF040B-50-4I-SAF可全芯片 擦除SST25VF040B-50-4I-SAF