850evo120总写入量,三星850evo120g评测

850evo和860evo区别 2023-12-07 21:14 622 墨鱼

850evo和860evo区别

850evo120总写入量,三星850evo120g评测

TBW代表写入主机硬盘的数据总量。一般在购买固态硬盘时，产品详情界面都会标明该固态硬盘的TBW。从上面CrystalDiskMark的测试数据来看，三星850EVOSSD在耐久测试前的耐久测试中，读写性能分别为548.6MB/s和526.5MB/s。400TB写入完成后，持续读写性能分别为549.2MB/s和525.6MB/s。

持续写入(MB/s)520随机IOPS读取4KQD3294,00097,00098,000随机IOPS写入4KQD3288,00090,000平均故障时间150万小时保修5年三星850EVO除了提供最大1TB容量外，还拥有1个一般来说，还有一个更直观的术语叫做写入量，比如40TB。 40TB写入量意味着40TB以内的数据写入是安全的，而且效果会很好。一些SSD管理工具和右上角的CrystalDiskinfo软件

150TB的总写入量是非常大的数据量。假设每天写入50GB数据，每年18.2TB。存储150TBW的写入量总共需要8.2年。需要注意的是，达到写入量的保修标准需要8.2年。在50nmSLC时代，寿命号称是10万次。即使是64G的小容量磁盘也能轻松达到PB级的寿命。 X25-E32GB现价

完整擦除次数：约326次。具体计算步骤：1.单位换算75tb=75*1000G=75000G，T和G不是同一单位级别；2.75000G/23进入系统，首先打开CRYSTALDISKINFO，查看硬盘的基本数据，传输模式为PCIE4.0X4，采用NVMe1.4标准，主机的写入量和读取量均为0，数量上电时间为5小时，由于上次主机断电，上电时间为0小时。

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