mos和igbt区别,逆变用mos还是IGBT

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MOS晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管或金属绝缘体半导体。 IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），一种绝缘栅双极型晶体管，由BJT（双极型MOS晶体管）和IGBT的结构特点组成。IGBT是在MOSFET的漏极上附加一层组成。IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际上是MOSFET和晶体管的结合体。MOSFET的缺点是导通电阻高，但IGBT

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MOS管和IGBT的区别一目了然。MOS管就是MOSFET，也叫绝缘栅场效应管，属于场效应管的一种。 MOSFET可分为四类：N沟道耗尽型和增强型；P沟道耗尽型和增强型。 IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是一种IGBT管，中文名称为绝缘栅双极型场效应晶体管。它是MOS管和晶体管的组合。MOS管作为输入管，晶体管作为输出管。 因此，晶体管的功率相当大，因此两者的结合获得了MOS管和

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MOS管和IGBT的区别，但场效应管的工作电流比较小，高的在20A左右，低的一般在9A左右，限制了电路中的最大电流，而且由于场效应管的封装形式，其自旋的爬电距离是一个导体到另一个导体之间的表面，igb是绝缘栅双极晶体管，而mos晶体管是绝缘栅场效应晶体管。在结构、导通电压、高温特性、开关速度、应用等许多方面存在差异。 相比较而言，两者各有优势，选择主要根据实际情况。

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详细解释：MOS管和IGBT的区别详细解释：MOS管和IGBT的区别在电子电路中，MOS管和IGBT管经常出现。它们都可以用作开关元件。MOS管和IGBT管的外观和特性参数也比较相似。 那就是MOS的应用，它在中小功率尤其是高开关频率中更占主导地位。 IGBT的应用在大功率应用中具有优势，因为在高电压和大电流下Vce的损耗低于MOSRd。 但是IGBT开关

MOS和iGBT区别

1由于MOSFET的结构，它通常可以实现大电流并达到KA，但前提条件是耐压能力不如IGBT。 MOS管和IGBT的区别MOS管和IGBT都是常用的功率半导体器件，它们有以下区别：结构不同：MOS管属于场效应管，由玛瑙、漏极和源极组成。 在它和排水沟之间有一个水流型孔型通道。 而IGBT是