内存频率时序,36时序和40时序内存区别

内存频率时序,36时序和40时序内存区别

例如芝奇的2400MHzDDR4内存的时序为17-17-17-39，而2666MHz内存的时序为19-19-19-43。实际测试中，虽然2666MHz内存频率较高，但由于时序值也较高，所以没有性能优势。主内存主要有四个时序参数：CL:CASLatencyControl"延迟时间"内存读写操作的前端地址控制器"。相同频率下，内存条的CL值越小，性能越好，从DDR1-4，CL值越来越大，

↓。υ。↓ 在主板BIOS中将内存频率设置为4600MHz，并使用AIDA64测试内存在时序19-25-25-45、19-20-20-39和18-18-18-38下的性能。 时序19-25-25-45：读56359MB/s，写65104MB/s，复制5内存延迟计算公式：内存延迟=时序（CLx2000）/内存频率。 DDR:(CL3*2000)/400MHz=15nsDDR2:(CL5*2000)/800MHz=12.5sDDR3:(CL9*2000)/1600MHz=11.5nsDDR4:(CL15*2000)/2133=14ns

＋０＋ 内存时序和频率内存时序是描述记忆棒性能的参数，通常存储在记忆棒的SPD中。 一般情况下，数字"A-B-C-D"对应的参数为"CL-tRCD-tRP-tRAS"，其含义为："DDR4"表示第四代DDR内存。购买内存时，必须选择与主板相同类型的内存接口。 DDR3内存和DDR4内存的接口不同。 "2666"、"3000"、"3200"等数字代表内存

相同频率、相同容量、相同时序的内存条可以保证性能的稳定性。但是，如果不能做到完全统一，必须在两者之间做出选择，我们可以选择时序尽可能接近的，而不是完全相同。CL14和CL"40-40-40-77"是某品牌的5200MHzD5产品时序设计，而"1"6-16-16-36"是该品牌的4000MHzD4产品时序设计。 从时序角度来看，尽管D5内存在绝对频率上有显着差异，但两者之间几乎存在2倍的数值差异。