ddr4内存时序参数,ddr2内存超频注意事项

ddr4内存时序参数,ddr2内存超频注意事项

一个明显的例子是，DDR5的内存频率很容易达到5000MHz以上，但其时序大多在40-40-40-77的水平，而DDR4的内存频率在3000MHz左右，但时序往往可以控制在16-16-36等16个值。 我们来计算一下DDR1~4的CL延迟时间：乘以2的原因是DDR内存在一个时钟周期内传输两次数据，可以认为基数是2DDR-4003-3-3-8:3*2/400=15nsDDR2-8006-6-6-18:6*2/800=15ns

tWTR-列出同一BankGroup中发生的写入和读取命令的延迟。写入和读取命令位于BGa中。通常发生在不同BankGroup中的操作需要较短的延迟时间，因此DDR4内存时序主板：①内存插槽数量：2DIMM>4DIMM②主板接线：T型拓扑4内存>2内存，菊花链2内存>4内存内存：①颗粒类型：SamsungB-芯片>MicronC9BJZ>HynixDJR>HynixCJR>MicronD9VPP>Hai

＋▽＋ DDR4时序参数主要包括以下几个部分：1.延迟：延迟是指内存模块收到写入请求后需要等待的时间。 包括stDQ(数据传输延迟)、tRCD(行到列延迟)、tRP(预充电延迟)等。ADATAZ1XPGDDR432008G×2虽然不能和同型号的4G×2内存在相同内存时序参数下稳定超频到DDR43466，但在微调小内存参数后，不仅稳定超频到DDR43466，但性能也略有提高。

DDR标准中有很多很多的时序参数，但是当你真正处理DDR4时，你会发现只有少数几个参数是经常访问或读取的，而且它们比其余参数更常用。 内存时序16-18-18-36内存时序是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。 它们通常写为用破折号分隔的四个数字，如上图16-1所示。

第四个内存时序的一般参数是3200。 ddr4内存时序参数为3200(16)8G×16，CL16-16-161.35Vis较好，默认为DDR42133，1.2V，加载XMP可直接将频率提升至DDR4320016-16-16DDR4参数内存手动超频经验如下任意设置或设置组合均视为超频：1.减少内存timing2.增加内存频率以增加内存存储电压以提高超频后的性能，但同时，