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碳化硅(SiC)功率半导体器件21世纪的能源网络,无论是太阳能、风能、储能等可再生能源,还是电动汽车、变频电机等高效负载,都需要功率半导体来存储。 碳化硅(SiC)是以硅(Si)和碳化硅(SiC)为核心的第三代半导体材料,主要应用于电力+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、新能源汽车、充电桩、风电、轨道交通等电力电子领域。 科技未来2卓越
碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)组成的复合半导体材料。 其结合力很强,热、化学和机械性能都很稳定。 SiC存在多种具有不同物理性质值的多型体(polymorphs)。 4H-SiC对SiC需求最大的领域正是新能源汽车。 与传统燃油汽车相比,新能源汽车所用的功率半导体器件成倍增长。根据StrategyAnalytics数据,传统燃油汽车的平均半导体消耗量为338
SiC半导体是满足这些需求的首选解决方案,并且能够自我改进以提供比旧技术更具成本竞争力的性能。 作为一种较新的颠覆性创新技术,SiC在首次商业化时的价格一定很高。碳化硅(以下简称"SiC")是制造大功率器件最有前景的半导体材料之一。 SiCMOSFET器件凭借其优异的物理特性(高饱和电子漂移速度、高导热性和高击穿电场),可以实现更低的损耗和更快的速度
目前,全球SiC厂商主要是Infineon、Cree和Rohm,这三家公司占据了碳化硅市场90%的份额。 以导电产品为例,2018年美国占全球碳化硅晶圆产量的70%以上,仅CREE就占了半壁江山第三代半导体材料:以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,具有更高的饱和漂移速度和更高的临界击穿电压等突出优点,适合大功率、高功率领域。温度、高频和抗辐射应用。
∪△∪ 第三代半导体材料可以满足现代社会的需求
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