迟滞比较器的设计电路,比较器内部电路的设计

迟滞比较器的设计电路,比较器内部电路的设计

迟滞比较器对输入电源纹波电压有一定的稳定性。这个问题主要通过仿真和测试来验证。 关键词：磁滞比较器；01电路结构图电路结构图如图1-1所示：图1-1图1-1电路中的比较器采用LM33。大多数比较器都设计有磁滞电路，通常磁滞电压为5mV~10mV；这种内部磁滞可以避免输入端抖动引起的比较器输出振荡。 但如果信号抖动较大，内部磁滞就不起作用，需要添加外部磁滞电路。

≡(▔﹏▔)≡ 由于正反馈电路的作用，磁滞比较器有两个阈值电压，即高阈值电压VTH和低阈值电压VTL。具体值为：VTh=Vref+Ih×R2，VTL=Vref-Ii×R2。 迟滞电压=VTH-VTL。 四、迟滞比较器的电路设计与计算（图1）中，选择其高电压VOH=5V，低电压VOL=-5V。根据上下阈值电压值的计算：1.VT+=(R1VREF)/(R1+R2)+(R2VOH)/(R1+R2)VT-=

简化后得R3=1.126*10^4Ω（实际上没有11.26K电阻，我们选择标称值为11.2K的电阻，然后在实际设计时微调阈值电压，不影响正常使用）。 R3电阻反转后的典型磁滞比较器电路图(1)磁滞比较器实际上是一个带正反馈的电压比较器，如下图所示。 图中，R为正反馈，E为参考电压()，V为输入信号电压或待比较电压。 该比较器的输出

为了提高性能，我们可以采用正反馈比较器电路，即迟滞比较器电路。 其电路具有双阈值电压，有一定的延时特性，稳定性好。 需求1：如果需要设计输出2.5V以上的比较系统，为了防止芯片过热，提高芯片的可靠性和稳定性，采用0.5μmCMOS工艺设计带有迟滞比较器的过热保护电路，由于采用了折叠运算放大器，使比较器的输入范围更宽、更灵活。

图1-11顺时针磁滞比较器的电压-安培特性图1-12逆时针磁滞比较器的电压-安培特性通过合理选择电路结构和电阻值，可以制作出符合设计要求的磁滞比较器：可改变正向和反向结构，可改变中心阈值，可改变1电路设计1.1电路功能迟滞比较器的功能立体比较器将反馈电压VFB与内部阈值电压进行比较，以控制其他模块是否正常工作。 当反馈电压VFB高于内部上阈值电压时，迟滞比较器的输出将禁用其他模块；当反馈电压VFB