英特尔多少纳米工艺制造,英特尔处理器是几纳米工艺

英特尔多少纳米工艺制造,英特尔处理器是几纳米工艺

这个事情很有意思，所以我们发现不同的晶圆厂在同一个芯片工艺上的晶体管密度是不同的，如下图，大家可以看的很清楚。 同样是7nm，台积电的制程可以达到每平方毫米9700万颗晶体管，现在AMD的锐龙7000系列处理器已经真正基于5nm制程现成，而Intel的第13代酷睿依然基于10nm（官方称"Intel7"制程），制程已经落后两代以上，处境实在是尴尬。 在此背景下，业界

据介绍，Intel第13代酷睿将采用与第12代相同的"Intel7"工艺，实际上是10nm工艺。 Intel的10nm工艺其实介于台积电的7nm和5nm之间。 第一代10纳米成品率低，核心显示洗半死。IntelCorei5-12500H采用10纳米工艺制造。Corei5-12500H有18MBL3缓存，默认工作频率为2.5GHz。 升压到4.5GHz，倍频锁定Corei5-12500H，限制了它的超强

ˋ＾ˊ 它几乎不愿意承认它自己的10纳米不如它对手的7纳米。 在晶体管密度方面，它被无情地超越了，估计漏电率也一样。最近还有消息称，英特尔已经完成了代号为Intel20A（2纳米）和Intel18A（1.8纳米）的芯片制造工艺。 研究与开发。 据悉，英特尔Intel20A的制造工艺依赖于栅极全能RibbonFET晶体管，因此

按照计划，Intel原本计划在2025年量产1.8nm工艺，但在今年二季度的财报会上，基辛格透露，这个时间已经提前到2024年下半年，同时推出的还有Intel20A，即2nm工艺。 值得一提的是，此前有报道称英特尔正在重启22nm工艺，并正在制造新的H310C芯片组。 对此，国外分析人士认为，英特尔此举是为了缓解14nm供应吃紧的局面。 分析师称英特尔目前的14nm产能有限

Intel的10nm工艺采用了第三代FinFET（FinFieldEffectTransistor）技术，而Intel的10nm被误认为是领先于其他所谓的"10nm"的整整一代。 Intel的10nm工艺采用超微缩技术（hyperscalenIntel3之后是Intel20A和18A工艺，这两款工艺是最先进入Amynode的，可以算是2nm和1.8nm级别的竞争对手，其中20A是上一代的。在Intel3的基础上，每瓦性能提升了15%左右，18Ais基于20A