存取周期和刷新周期,dram刷新占用几个存储周期

存取周期和刷新周期,dram刷新占用几个存储周期

╯＾╰ 刷新时间大致等于访问周期。 因为刷新过程与访问相同，只是总线上没有输入和输出。 集中刷新：在指定的刷新周期内，所有存储单元在一段时间内逐行刷新（在此期间，需要64个内存刷新周期才能再次可用。）64次后，保证每行的刷新周期。 是2毫秒。 刷新操作周期为2ms÷64。 不过，这次不受访问周期的限制，因此拒绝访问仍有延迟时间。

这里的刷新周期是指刷新一行所需的时间。由于刷新过程是假读过程，因此刷新周期等于访问周期。 其优点是通过改进主存的组织方式，在不改变内存访问周期的情况下提高内存带宽。 结构特点：多体交错内存由M个内存库（或内存模块）组成。每个内存模块具有相同的容量和访问速度，并具有

刷新单位为行，只需要行地址。 ①集中刷新：在指定的刷新周期内，所有存储单元在一段时间内逐行刷新，此时必须停止读写操作，称为"死区"或"死区"。，后半部分刷新。每行占用一个存储周期。这样，每一行都刷新。

╯＾╰〉 在刷新周期中，需要一段时间来逐行刷新内存中的所有行。在刷新期间，对内存的读写操作都会停止，这称为"死区时间"，也称为内存访问的"死区"。 假设：访问周期为0.5us，内存芯片为12，分散刷新的优点是没有节点adzone；缺点是延长了系统的访问周期，降低了整机的速度。 ●异步刷新：异步刷新是前两种方法的结合，不仅可以缩短"死区时间"，而且可以充分利用最大2ms的刷新间隔。

访问周期：指CPU读写DRAM所需的时间周期。 原理：以128*128矩阵为例，对于集中刷新，在2ms的刷新周期内，可以分为读写或维护阶段和刷新阶段，其中，刷新阶段总共需要128*0.5=64us，也就是说，行内存单元的每次刷新都分布在每个访问周期内完成。 其中，机器的访问周期分为两段，前半段用于读/写或维护信息，后半段用于刷新。 例如：64*64矩阵刷新，访问周期为0.5u