主闪存存储器,三维闪存存储器

主闪存存储器,三维闪存存储器

1、mainflashmemory是STM32内置的Flash，一般我们使用JTAG或SWD方式下载程序时，都是下载到这个，重启后直接从这里启动程序。 2.Systemmemorystartsfromsystemmemory.TheprogramEEPROMstartedinthismodeismooreexpensiveandlessdensethanEPROM.Eachchipssupportsfewerbytes.FLASHMemoryThelatestformofsemiconductormemoryisflashmemory. 最早生产于20世纪80年代中期，闪存的性价比介于EPROM和EEPROM之间。

Flashmemory在MOS管中间使用绝缘体来储存电子，充电后可以长时间储存​​，外接sense

amp比较放大了STM32F4的flashmemory模块，它由4个部分组成：mainmemory，systemmemory，OPTarea和optionbyte。接下来，我们将对每个部分进行详细介绍。 这部分主存是用来存储代码和数据常量（比如const类型的数字）

Flashmemory是可以用电擦写的flashmemory，也就是U盘。Memorycardsystemmemory指的是存储系统数据的区域，比如BIOS。EmbeddedSRAM也是一种静态存储数据，不需要经常使用的内存技术（3）STM32F40x的flashmemory模块由4部分组成：mainmemory，systemmemory，OTPareaandoptionbyte：1.Mainmemory：这部分用于存储代码和数据常量（如consttypedata）。 分为12个扇区，

该总线将Cortex™-M3内核的D​​代码总线与闪存的数据接口连接起来（持续加载和调试访问）。 18.WhatisthesystembusS总线？Thisbusconnectsthesystembus(peripheralbus)oftheCortex™-M3coretothebus8124membersgatheredinthisgrouptojointhegroup

参考：STM32中文参考手册_V10.pdf查看启动配置。 在STM32F10xxx中，可以通过BOOT[1:0]引脚选择三种不同的启动模式。 根据选择的启动模式，主闪存、系统存储器或SRAM可以在STM32上电或复位后，代码区始终从0x00000000开始，实际上，存储空间的头地址被映射到0x00000000。 三种引导模式区域如下：从主闪存引导，映射主闪存地址0x08000000到0x00000000，