内存时序四个数字怎么看,ddr3时序多少比较好

内存时序四个数字怎么看,ddr3时序多少比较好

如果你是EECS专业的学生或者该领域的从业者，你一定经常听到别人谈论DRAM、内存和DDR——在学习数字电路和计算机组成时你无法绕过DRAM，在讨论计算机性能时你离不开内存。 onlooker字段中的内存时序反映了内存在不同工作环节的延迟时间。内存时序值越低，运行时延迟越短。 又以XPGL龙耀D60GDDR4-3600为例，其时序组成（16-18-18-36）从左到右表示。

内存时序是描述同步动态随机存取内存(SDRAM)性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TAS，以时钟周期为单位。 它们通常写成由破折号分隔的四个数字，例如上图中的16-1。我们以时钟周期来测量内存时序。零售商列出的时间是由破折号分隔的四个数字，例如16-18。 -18-38。 数字越小，感染速度越快。 第一个数字：CAS延迟（CL）内存响应CPU所需的时间就是CAS延迟（CL），但是

至于4000MHz低序DDR4内存，价格比普通DDR5要贵，而且低序DDR4内存很多都是8GB单条，目前16位内存是奇奇的TridentZ5Neo6000MHz。 该内存的EXPO时序为CL30，是目前市场上时序最低的DDR5内存之一。 AMDRyzen97950X&AMDRyzen77700X性能测试CPU-Z

内存时序是描述同步动态随机存取内存(SDRAM)性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TAS，以时钟周期为单位。 它们通常写成用破折号分隔的四个数字，如上所示，16-18-18-36。 第四个参数是XPGL龙耀D60GDDR4-3600的时序。 它由四个数字（16-18-18-36）组成，分别对应四个参数。从左到右分别是：CL(CASLatency)、tRCD(RAStoCASDelay)、tRP(RASPrecharge)

前两位数字i3\i5和R3\R5是性能级别，分别对应低、中、高端和顶级。 中间的两位数字，内存时序（英文：MemoryTimings或RAMTimings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位是时钟周期。 它们通常写成四个