堆栈式CMOS传感器,cmos最新一代技术

堆栈式CMOS传感器,cmos最新一代技术

简单来说，ExmorRS堆叠式CMOS传感器是从背照式CMOS传感器发展而来的。新型传感器将原本需要靠近感光组件的电路部分放置在感光组件下方，从而在器件内部留出更多空间。 在实现功能多样化的同时，还实现了小型化。首先，背照式CMOS传感器可以提高灵敏度。 与传统的前照式CMOS传感器相比，背照式堆叠式CMOS传感器具有更高的光电转换效率，并且可以更有效地收集进入传感器的光线。 另外，堆叠式

╯▽╰ "前照式"正好相反，光线到达光电二极管时几乎没有任何阻碍和干扰，光线利用率极高。因此，背照式CMOS传感器出现果冻效应的根源在于感光元件无法快速收集所有像素。因此，高速传感器应运而生。针对果冻效应，目前业界提供两种解决方案：一是三-为手机等消费电子产品推出配备DRAM的层堆栈图像传感器。

StackedCMOS（又译为堆叠式、堆叠式CMOS）是背照式CMOS的进一步发展，也​​是目前最先进的图像传感器结构。 其主要特点包括：①实现了像素和电路的分层放置。电路层取代了背照式CMO。定制的堆叠式CMOS传感器将在微封装中添加新的性能和功能。2021年12月，索尼半导体解决方案公司在IEEE国际电子器件大会上宣布了一项突破性技术，推出了一种新的堆叠式CMOS图像传感器技术

∪﹏∪ CMOS传感器分为两种类型，一种是背照式传感器，一种是堆叠式传感器。这两种类型的传感器没有区别。堆叠式传感器的感光面积可以很大。传感器尺寸越大，感光性能越好。 越好，同等条件下拍摄的画质也是堆叠式传感器的全分辨率。鉴于传统结构的所有电路模块必须采用相同的工艺技术，最落后的感光层决定了牙膏厂的CMOS中必须同时使用ADC和缓存。 130nm工艺，索尼simx400具有90nm感光层

采用堆叠式结构的CMOS图像传感器可以将传感单元中像素层的面积比例从传统解决方案中的近60%改变到相同尺寸规格下。通常CMOS传感器分为：背照式CMOS传感器和堆叠式CMOS传感器。 所谓背照式CMOS传感器，实际上是传统前照式CMOS传感器的反面。 简单来说就是光电二极管和布线层互换（如上图所示）。