v-nand ssd,portable ssd

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三星在年中发布首款搭载3DV-NAND闪存的850PRO系列SSD，成功称王，宣告完成今年旗舰产品线换代。 在更受关注的主流市场，3DV-NADA技术也将全面应用，那么年底850EVO系列SSD将终于正式找到适合您的SSD所有PCIe4.0NVMe™SSDPCIe3.0NVMe™SSDSATASSD所有产品规格均为内部测试结果，以实际为准

近日，三星正式宣布开始量产236层3DNAND闪存芯片，并命名为第8代V-NAND。 据报道，第8代V-NAND可以提供1Tb(128GB)的解决方案。三星电子并未公布该IC的实际密度，但称其是行业应用领域：台式机；笔记本；SSDSATA3；SSD；产品白皮书文档下载来源：公司官网三星860系列V-NANDSSD共17个产品系列容量形式接口类型NANDFlash速度​​（读取）速度​​（写）其他860EVO250GBM.22280SATA

韩国首尔-2019年8月6日-先进存储技术公司三星电子今天宣布，该公司已开始量产250GBSATASSD，该SSD集成了该公司第六代（1xx层）256GBSATASSD。 Megabit(Gb)3-bitV-NAND，适合Techinsights讨论三星32层和48层3DV-NAND之间的结构差异。三星已经开始量产其48层3DVNAND芯片（48层cellgate串联在一起的NAND，称为第三代）用于SSD，例如SSDT3（mSATA和850EVO）

该仿冒品在外观上是对三星SSD的巧妙模仿，虽然它没有使用三星的商标，但确实提到了"V-NAND"。 V-NAND是三星提出的3D闪存技术，但在中国好像没有注册商标，所以山寨者不敢用。 虽然尚未发布任何实际产品，但三星电子现已宣布开始量产其236层3DNAND闪存芯片，该公司将其命名为第8代V-NAND。 新一代存储芯片搭配高端主控可带来2400MTps的传输速度

╯▽╰ 优点1：V-NANDSSD中的存储介质是NAND闪存。 NAND闪存的质量对于固态硬盘的使用寿命和性能起着至关重要的作用。 三星率先启动二维制造3DNAND转换，三星的3DNAND被称为V-N，产品介绍：三星V-NANDSSD，持续和随机写入速度提升20%以上，功耗降低40%以上，并采用64个MLC3DV-NAND闪存核心。 每颗芯片容量为128Gb(16GB)，配备SATA6Gbps主控制器，编程/擦除周期数高达35,000次。