7nm下一代技术是什么,中国5nm

7nm下一代技术是什么,中国5nm

据Digitimes6月4日报道，台积电在先进制程技术上继续保持领先优势，7nm工艺已获得各大厂商订单，三星则决定跳过7nm工艺，直接采用7nmLPPEVU工艺。 Digitimes指出，传闻NVIDIA已经重新拥抱三星，并且7nm被错误地预期为非常关键的节点，这是DUV光刻机可以达到的极限。 从7nm开始，EUV光刻机将成为必须。 如果没有EUV光刻机，下一代工艺的研究和开发将不再可能。 台积电第一代7nm工艺完全由DUV制成

目前，国内高速激光芯片技术落后1~2代，国产化率不高。 考虑到光纤接入、5G/6G移动通信网络、数据中心等日益增长的需求，高速激光芯片市场广阔，国产替代强劲。 据华泰研究院预测，全球高速分析发现，Intel10nm工艺采用第三代FinFET三维晶体管技术，晶体管密度为每平方毫米1.008亿个（与官方宣称相符），足足是目前14nm的2.7倍！ 相比之下，三星10nm工艺的晶体管密度并不高。

所以现在的7nm、5nm只是数字，仅此而已，与实际技术无关。 总的来说，这是芯片制造行业默认的向公众"营销"的方式。 早年Intel还是秉承初心，尽可能的知道名字和工艺。EUV光刻机是一项非常先进且高难度的技术，需要超高精度和稳定性，所以这次技术

使用DUV光刻机制造7nm芯片采用类似的原理。 用专业术语来说，叫做多重曝光技术。 当然，我们所说的只是一个一般原理，实际过程要复杂得多。 但这种工艺也有一个缺点，那就是成本比较高。 就像打架一样，因为在7nm节点，即使是finfefet也无法在保证性能的同时抑制泄漏。 因此业界用砷化镓取代了单晶硅通道

7nmEuvis实际上是7nm芯片的第二代。台积电推出新的工艺制式之后，也会对工艺制式进行改进，7nmEuvis是对7nm工艺制式的改进；所以在台积电推出5nm工艺制式之后，同行业普遍认为7nm技术节点是其极限，甚至7nm也不一定能够实现量产。 仍在开发中的下一代技术称为极紫外线(EUV)，它使用低至13纳米的光源。 但不要高兴得太早，因为在这个波长下，没有合适的介质。